Repositório Institucional


  1. Repositório Institucional do IFS
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dc.date.accessioned2018-10-15T13:07:46Z-
dc.date.available2018-10-15T13:07:46Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationRODRIGUES, Daniel Henrique [et al]. Anomalous optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy. Journal of Physics. D, Applied Physics, v. 45, p. 215-301, 2012.pt_BR
dc.identifier.govdochttp://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/45/21/215301-
dc.identifier.urihttps://repositorio.ifs.edu.br/biblioteca/handle/123456789/688-
dc.description.abstractWe have investigated the optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells (QWs) grown by molecular beam epitaxy under relatively high substrate temperatures (400 and 450 ◦ C) and low Mn concentrations ( 0.1%). We have studied the time- and polarized-resolved photoluminescence emission as a function of the laser power and an applied magnetic field. Several anomalous results have been observed including long decay times, enhancement of the diamagnetic shift and reduction in the polarization degree with increasing Mn concentrationpt_BR
dc.description.sponsorshipJournal of Physics. D, Applied Physicspt_BR
dc.language.isopt_BRpt_BR
dc.subjectFísicapt_BR
dc.subjectSemicondutorpt_BR
dc.subjectArsenieto de manganês de gáliopt_BR
dc.subjectGallium manganese arsenideen
dc.subjectPoço quânticopt_BR
dc.subjectFeixe molecularpt_BR
dc.subjectPhysicsen
dc.titleAnomalous optical properties of GaMnAs/AlAs quantum wells grown by molecular beam epitaxyen
dc.title.alternativePropriedades ópticas anômalas de poços quânticos de GaMnAs / AlAs crescidos por epitaxia por feixe molecularpt_BR
dc.typeArtigopt_BR
dc.contributor.authorRodrigues, Daniel Henrique-
dc.contributor.authorBrasil, Maria Jose Santos Pompeu-
dc.contributor.authorGobato, Yara Galvão-
dc.contributor.authorHolgado, Danny Pilar Araucano-
dc.contributor.authorMarques, Gilmar Eugênio-
dc.contributor.authorHenini, Mohamed-
dc.description.abstract2Nós investigamos as propriedades ópticas dos poços quânticos de GaMnAs / AlAs (QWs) cultivados por epitaxia por feixe molecular sob temperaturas de substrato relativamente altas (400 e 450 ◦ C) e baixo Concentrações de Mn ( ? 0,1%). Nós estudamos o tempo - e a resolução polarizada emissão de fotoluminescência em função da potência do laser e de um campo magnético aplicado. Vários resultados anômalos foram observados, incluindo longos tempos de decaimento, aumento do deslocamento diamagnético e redução no grau de polarização com o aumento da concentração de Mnpt_BR
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